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抛光液

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抛光液

所属分类： CMP制程质料

抛光液是一种颗粒漫衍匀散的胶体,可使硅片外貌爆发一层氧化膜,再由抛光液中磨粒将其去除,抵达抛光目的。。。。。。。通常抛光液的流速、粘度、温度、因素、pH值等都会对去除效果有影响。。。。。。。

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产品详情

产品	产品先容	分类	要害性能形貌
DP53XX、DP55XX、DP59XX系列	用于集成电路制造工艺中多晶硅的去除清静坦化，，，，，，，，具有高多晶硅去除速率，，，，，，，，高稀释比、低缺陷率的特点。。。。。。。产品已经在存储器件量产中使用。。。。。。。	多晶硅抛光液	固含量4%-20%；；；；；；；粒径：60-200 nm；；；；；；； Poly/OX移除选择比高
DP54XX、DP56XX、DP58XX系列	用于集成电路制造工艺中多场景的氮化硅薄膜去除清静坦化，，，，，，，，具有碟形效应修复能力强，，，，，，，，栅极高度精准控制的优点，，，，，，，，在逻辑器件制造中普遍应用。。。。。。。	氮化硅抛光液	固含量2%-20%；；；；；；；粒径：50-100 nm；；；；；；； SiN/OX移除选择比适中
ZX系列	用于集成电路制造工艺中介电层质料（氧化硅）的去除清静坦化，，，，，，，，具有高去除速率，，，，，，，，高稀释比、低缺陷率的特点。。。。。。。产品已经在存储器件量产中使用。。。。。。。	介电质料抛光液	固含量3%-20%，，，，，，，，粒径80-150nm，，，，，，，， OX薄膜移除率高
DP6XXX系列	在集成电路制造中，，，，，，，，用于硅片外貌化学机械抛光(CMP)，，，，，，，，有去除速率高，，，，，，，，外貌缺陷率低的特点。。。。。。。	硅衬底抛光液	固含量2%-20%；；；；；；；粒径：50-100 nm；；；；；；； Si移除率高；；；；；；；晶圆缺陷率低
DW6XXX系列	搭载自产氧化铝研磨粒子，，，，，，，，用于逻辑器件制造工艺中金属钨栅极质料的去除清静坦化，，，，，，，，具有高平展化效率，，，，，，，，高选择比，，，，，，，，低缺陷率的特点，，，，，，，，已在逻辑器件量产中使用。。。。。。。	钨栅极抛光液	固含量0.01%-0.3%，，，，，，，，粒径60-120nm，，，，，，，，W，，，，，，，，TiN，，，，，，，，OX 移除率均可知足定制化需求，，，，，，，，W/OX 移除选择比高
DW3XXX、DW5XXX系列	用于集成电路制造工艺中金属钨质料的去除清静坦化，，，，，，，，选择比可控，，，，，，，，知足选择比定制需求，，，，，，，，低缺陷率，，，，，，，，已经在逻辑器件量产中使用。。。。。。。	钨抛光液	固含量1%-10%，，，，，，，，粒径60-100nm，，，，，，，， W，，，，，，，，TiN，，，，，，，，OX 移除率均可知足定制化需求，，，，，，，，W/OX 移除选择比适中
DB系列	用于集成电路制造铜互连工艺中阻挡层的去除清静坦化，，，，，，，，选择性抛光铜与阻挡层，，，，，，，，高平整度、低缺陷，，，，，，，，低侵蚀或碟形凹陷。。。。。。。	铜阻挡层抛光液	固含量5~25%，，，，，，，，粒径20-150nm，，，，，，，，Cu，，，，，，，，OX，，，，，，，，BD，，，，，，，，Ta，，，，，，，，TaN，，，，，，，，SiN等薄膜移除率可凭证需求定制
DC系列	用于集成电路制造工艺中金属铜的去除清静坦化，，，，，，，，具有高去除速率，，，，，，，，高稀释比，，，，，，，，低缺陷等特点。。。。。。。	铜抛光液	固含量0.5%-2%，，，，，，，，粒径30-120nm；；；；；；；Cu移除率高；；；；；；；Cu/OX移除选择比低
ZA系列	搭载自产氧化铝研磨粒子，，，，，，，，用于集成电路制造工艺中金属铝栅极质料的去除清静坦化修复，，，，，，，，具有高平展化效率，，，，，，，，高选择比，，，，，，，，低缺陷率的特点。。。。。。。产品已经在逻辑器件制造中使用。。。。。。。	铝栅极抛光液	固含量0.5%-2%，，，，，，，，粒径60-120nm，，，，，，，，Al ，，，，，，，，TiN，，，，，，，，OX等薄膜移除率可凭证需求定制，，，，，，，，Al/OX 移除选择比高
DS系列	搭载自产氧化铈研磨粒子，，，，，，，，用于集成电路制造工艺中介电层质料（氧化硅）的去除清静坦化，，，，，，，，STI结构的构建中。。。。。。。具有高氧化硅去除速率，，，，，，，，高平展化效率、低碟形效应、低缺陷率的特点。。。。。。。	氧化铈抛光液	固含量0.5%-5%，，，，，，，，粒径80-150nm，，，，，，，，OX移除率可凭证需求定制，，，，，，，，OX/SiN移除选择比高
DLS系列	CMP slurry中的焦点质料，，，，，，，，金属杂质含量低，，，，，，，，普遍用于前段工艺及高要求的金属互连工艺。。。。。。。具有硬度低，，，，，，，，晶圆缺陷率低的特点。。。。。。。	超纯硅磨料	固含量15%-21%，，，，，，，，粒径35-180nm；；；；；；；pH 6.5~8.6；；；；；；；各项金属杂质＜20ppb；；；；；；；可订制磨料颗粒所带电荷
DLSB系列	用于集成电路制造工艺中各制程中slurry设计，，，，，，，，提供机械研磨力以及化学组分吸附位点，，，，，，，，可用作快速去除与选择比控制高的场景。。。。。。。	高纯硅磨料	固含量20-50%; 粒径20~150nm; pH 8~11;莫氏硬度~6

要害词：抛光液

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抛光液是一种颗粒漫衍匀散的胶体,可使硅片外貌爆发一层氧化膜,再由抛光液中磨粒将其去除,抵达抛光目的。。。。。。。通常抛光液的流速、粘度、温度、因素、pH值等都会对去除效果有影响。。。。。。。

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